갤스에 사용된것이 모비낸드가 맞는지요?
맞다면 Flash endurance 가 몇회나 되는지 알려주세용 (rewritable 가능 횟수)
혹시 정확한 파트명 혹은 데이터쉬트 가지신분 있으시면 링크 좀 부탁드립니다.
삼성의 RFS 가 분산저장기능이 강점이라고 본거 같은데 이부분에서도 설명 가능하신분
고견 듣고 싶습니다. (제가 잘못 본거라면 맞는 답변 좀 부탁드립니다)
항상 와서 많이 배웁니다...
언제쯤 질문말고 도움을 드릴지 항상 감사합니다.

이렇게 많은 설명을 주시다니 머리 조아려 감사드립니다.
저는 사실 모비낸드와 외장 SD 간의 몇가지 차이점을 비교해 보고 싶어서 질문을 드려봤습니다.
같은 파일 시스템을 사용한다 가정했을 땐 매체에 따른 하드웨어적 스펙이 영향을 줄수 밖에 없는지라
어느정도의 차이가 있을까 싶었거든요.
말씀 주신대로 MMC 1만회 기준으로 이정도 라면 그냥 단순 숫자 비교만 해서 끝내기엔 섣불른 판단이 되겠네요.
EXT2,3,4 와 RFS 방식에 따라 매체의 endurance 가 영향을 줄지 아닐지 궁금해 집니다.
질문이 질문을 낳는군요. 산더미 처럼 쌓여있긴 합니다 ㅎㅎ;; 아무쪼록 댓글 감사합니다.
흐음 잘은 모르겠지만 RFS 역시 그 나름의 목적을 가지고 탄생한 포맷이라는 얘기같군요ㅎㅎ
쓰기횟수에 한계를 가지고있는 NAND 플래시의 수명을 연장시키는 것이 주요 장점이란 얘기로 대충 이해해도 되려나요?; 그런데 다나끔님 정리해주신 내용을 보면 딱히 조심스럽게 사용안해도 무리없을만큼 충분한 수명을 가지고있다는 얘기처럼 보이기도 하고 말이죠...;
네.. 맞습니다.
뭐 디카의 메모리나 MP3처럼 처럼 데이터 전체가 사라졌다가 갱신되고 이런 일들이 자주 발생하는 것이 아니니까요.
통상 업계에서는 내부 저장공간의 75%는 static 하고 25% 정도가 dynamic 하다고 보더라구요 (모바일기기 부분 이야기 입니다.)
왜냐면, 펌웨어/드라이버, OS 및 기본 데이터들은 거의 변화가 없고, 또 MP3나 동영상 같은 것들이 PC의 HDD처럼
빈번하게 UPDATE되지 않기 때문에 저런 75%는 static하다고 보고, web cache나 appl의 data들의 dynamic 을 크게 25%로 보고
wear-leveling 전략을 짜는듯 합니다. OS가 쓰는 dynamic영역이야 dram에 올리면 되니까요.
내부 메모리 공간의 블럭들을 ZONE으로 묶어서, 25/75, 25/75, 25/75, 25/75 이런식으로 Zone별로 Wear leveling 기법을 각기
적용한다는 것이지요.
그래서 HDD용으로 설계된 파일시스템과 달리 (자기디스크는 데이터를 분산시켜 조각내 놓으면 문제가 많지 않겠습니까.),
강제로 데이터를 각 ZONE의 블럭에 분산시켜 저장하는 rfs가 nand용 파일시스템이라고 강변하는듯 합니다.
뭐 솔직히 속도가 이렇게 문제가 될 바에야, 수명 다 되면 쉽게 메모리 교체를 할 수 있는 외장 SD에 ext3 정도 포멧해서
dynamic data들을 넣고 쓰는것도 그리 나쁘진 않다는 생각입니다.
수명관점에서 RFS가 유리할지는 몰라도, 이정도로 속도차이가 난다면 말이죠..




자료를 찾지는 못했습니다만, 단순히 Flash endurance의 수치만 가지고 판단하기에는 wear-leveling의 기법에 따라 엄청난 차이가 있기 때문에 큰 의미는 없을듯 합니다. 4096블럭의 MMC가 1만회의 싸이클링을 가진다고 보고, 매 10분마다 50개의 블럭이 갱신된다고 가정할때
이를 단순한 Implementing Dynamic Wear Leveling 기법 적용시 1422일의 수명으로 계산되고, Implementing Static Wear Leveling 기법적용시 5689일(약 15년)의 수명을 이론상 가지게 됩니다. 그러나 이걸 교과서 처럼 통째로 적용할 리는 없고, Multiple Zones으로 구분되어 각기 Zone별로 wear-leveling을 적용시에는 또 수명의 계산이 달라지겠지요.
아무튼 단순 횟수 카운트는 그리 생각만큼큰의미는 없다는 것입니다.
사용자의 사용형태와 환경에 따라 달라진다고 보고 충분한 수명이니 맘 편하게 생각하는게 좋을듯 합니다.
RFS가 왜 데이터 블럭을 고의로 분산시키는 NAND용 포멧이라는 이야기가 있는지, 저 wear-leveling Zone의 개념으로 생각하고
있습니다만, 저 역시 전문가나 그쪽 관계자가 아닌지라... 그려려니 하고 있습니다 ^^